超结器件

作者：陈星弼

来源：电力电子技术, 2008, (12): 2-7.

• 半导体功率器件
• 超结
• 复合缓冲层
• 比导通电阻
• 硅极限 semiconductor power device
• super-junction
• composite buffer layer
• specific on-resistance
• silicon limit

简要地介绍了突破传统"硅极限"的超结器件发明的背景,以及产生的来由。描述了既用作漂移区又用作耐压区的各种超结结构的导通电阻与击穿电压的关系,及超结MOST瞬态特性中导通过程的器件物理。最后简要地介绍了超结器件的进展。