在侧壁形成导热膜的GaN基发光二极管

作者：章放; 张艺影

来源：半导体光电, 2010, (03): 360-362.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2010.03.006

• 发光二极管
• GaN
• 导热层
• 氮氧化铝 light emitting diode
• GaN
• heat transferring layer
• oxynitride aluminum

研制了一种在侧壁形成导热膜的GaN基发光二极管(LED),其中导热层由氮氧化铝形成,导热层外再覆盖一保护层,保护层选自氧化物、氮化物或氟化物。对LED进行电流加速老化实验,分析输出功率随老化时间的变化关系,可以看到侧壁形成导热膜的GaN基LED的输出功率衰减缓慢。实验表明由于氮氧化铝膜具有良好的导热性,其可以有效地耗散发光部分产生的热量,因此在器件侧壁形成AlON导热膜可以改善GaN基LED的输出特性并提高器件的可靠性。

• 单位
  深圳市创益科技发展有限公司; 清华大学