一种ITO图案化方法

作者：邹建华; 徐苗; 王磊; 陶洪; 兰林锋; 彭俊彪

来源：2011-12-28, 中国, CN201110451567.7.

本发明公开了一种ITO图案化形成方法,包括以下步骤：在基板上沉积ITO薄膜；在ITO薄膜上沉积一层SiO2薄膜；在SiO2薄膜上涂布感光光刻胶；通过曝光、显影图案化SiO2；通过干法刻蚀刻蚀完裸露的SiO2,露出下层的ITO薄膜；去除光刻胶；通过湿法处理腐蚀下层露出的ITO薄膜；通过干法刻蚀刻蚀完剩余ITO薄膜上的SiO2,得到所需ITO图案的基板。本发明采用SiO2作为ITO刻蚀的掩膜,避免了使用光刻胶作为掩模时造成的器件短路与断路现象,避免了使用易燃易爆危险气体和昂贵的刻蚀专用设备,降低了生产成本。

• 单位
  华南理工大学; 广州新视界光电科技有限公司