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摘要
本发明提供了一种基于GaN基HEMT器件的Fin-HEMT器件及其制备方法,首先在GaN基异质结表面生长SiN层作为掩蔽层,然后光刻出Fin图形,并依次刻蚀SiN层和GaN基异质结层,形成Fin结构,最后在Fin结构的栅位置形成金属栅；其中,刻蚀SiN层和GaN基异质结分别在不同的刻蚀工艺气体下进行。本发明使用耐氯基气体刻蚀的SiN介质作为Fin的刻蚀掩蔽层,不但保证了Fin的有效宽度,而且能够形成侧壁陡直,形貌良好的Fin,同时SiN又是很好的GaN基异质结的钝化层,能够有效抑制GaN基HEMT器件的电流崩塌效应。
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