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摘要
设计了一种基于高阶温度补偿与内建负反馈稳压技术的带隙基准，所设计的带隙基准具有低温漂和高PSRR的优点。通过采用两对工作在亚阈值区的MOS管，根据不同工作温度分段产生指数型补偿电流，形成高阶温度补偿，降低了带隙基准的温度系数。基于带隙基准输出电压，通过内建负反馈稳压电路，提高了带隙基准的电源抑制能力。基于Dongbu 0.18μm BCD工艺，完成了低温漂高PSRR带隙基准的设计、版图绘制和后仿真验证。带隙基准的版图面积为290μm×200μm。后仿真结果表明，所设计的带隙基准在-45～125℃范围内温度系数仅为1.15×10-6/℃,电源抑制比为83.22 dB;在2.8～5.5 V电源电压变化下，基准电压的平均值为1.212 V,线性调整率为0.015%。
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