VGF法半绝缘GaAs单晶EL2浓度优化研究

作者：兰天平; 边义午^*; 周春锋; 宋禹

来源：人工晶体学报, 2020, 49(03): 412-416.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.20200327.002

• 砷化镓
• 垂直梯度凝固法
• 半绝缘
• 晶体生长
• EL2

为了获得高电阻率及迁移率的半绝缘GaAs单晶材料,采用经高压及水平合成不同工艺制得的GaAs多晶料,进行垂直梯度凝固(VGF)法半绝缘GaAs单晶生长,测试和分析相应单晶片的EL2浓度、C浓度及电阻率、迁移率等性能参数,对比和分析了GaAs化学计量比的不同对单晶EL2浓度及电学参数的影响,经多炉次实验,确定出GaAs单晶电阻率>1×108Ω·cm及迁移率>5×103 cm2/(V·s)时C浓度及EL2浓度的合理范围,并据此结论,指导MBE外延用半绝缘GaAs单晶生长,保证了半绝缘GaAs单晶在满足高电阻率和迁移率的同时,具有较高的重复性和一致性。

• 单位
  中国电子科技集团公司第四十六研究所