纳米点调控氧化物忆阻器电导特性研究进展

作者：康鹏; 黄安平; 贾林楠; 胡琪; 韩少奇; 何建学; 王玫; 肖志松

来源：微纳电子技术, 2014, 51(11): 692-701.

DOI：10.13250/j.cnki.wndz.2014.11.002

• 忆阻器
• 电导特性
• 纳米点
• 氧空位
• 导电通道

从调控氧化物忆阻器电导特性的主要方法与机理出发,综述了纳米点在氧化物忆阻器电导行为调制及其参数稳定性改善等方面的研究进展。针对纳米点调控氧空位的扩散迁移、电场迁移及其共同作用,分析了纳米点对氧化物忆阻器的电形成过程、开态过程和关态过程的作用机制,并讨论了其对参数均一性、耐久能力、疲劳特性、电阻比率及开关时间等参数的影响。结果表明,纳米点的引入可以显著改善忆阻器性能参数的稳定性和可控性,并进一步指出纳米点在优化其电导特性方面存在的不足和可能的解决措施,预测了性能优化的氧化物忆阻器在非易失存储、人工神经网络等领域的应用前景。

• 单位
  中国科学院上海微系统与信息技术研究所; 信息功能材料国家重点实验室; 北京航空航天大学