一种低工艺偏差的低功耗基准电流源

作者：杨慧明; 王耀^*; 范文兵

来源：微电子学, 2019, 49(02): 168-172.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.180254

• 基准电流源
• 低功耗
• 阀值电压
• 工艺偏差

基于对工艺偏差不敏感的温度补偿机制,提出了一种低工艺偏差的低功耗基准电流源。利用MOS管的阈值电压和片上电阻的温度系数在工艺偏差下较稳定的特性,获得了在不同工艺角下具有良好温度特性的基准电流,减小了工艺偏差对基准电流温度系数的影响。采用0.18μm CMOS工艺对电路进行设计与仿真。结果表明,该基准电流源的工作电压范围为1.1～4.0 V。在1.2 V电源电压下,基准电流为23.06 nA。在-40℃～85℃范围内,温度系数为9×10-5/℃,功耗为50 nW,离散系数(σ/μ)为±3.4%。