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摘要
采用Scheil方程和四探针法、霍尔效应技术、紫外-可见光吸收光谱以及XRD技术分别模拟和测试太阳能硅锭的杂质分布、电阻率、载流子浓度、带隙以及晶体结构，结果表明：若硅料中施主杂质原子浓度小于受主杂质的0.39倍，铸造的p型硅锭不会出现极性反转。由于极性相反杂质间的抵偿效应，在硅锭极性反转处形成p-n结区，少子寿命和体电阻率均达到最大值，且硅锭的晶体结构未发生改变，带隙比特征硅锭的带隙降低25.89%，对此段硅锭切片，可省略后续硅片的“磷扩散”过程。利用掺杂剂抵偿技术可制备高效率和低成本的晶硅太阳电池。
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单位安阳工学院
