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摘要
本实用新型涉及一种结终端扩展终端结构,该结构包括：SiC衬底层201；外延层202,设置于所述SiC衬底层201表面；结终端扩展区203,设置于所述外延层202内；有源区205,设置于所述结终端扩展区203一侧并位于所述外延层202内；钝化层204,设置于所述外延层202表面。本实用新型的终端结构通过线性变化的边缘电荷分布消除传统结终端扩展边缘处的单点锋锐电场峰,缓解结边缘的电场集中效应,从而降低器件由于单点高电场诱发额外漏电和提前击穿的风险,提高结终端扩展结构在反向耐压时的可靠性。
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