AlxIn1-xAs电子结构和光学性质的第一性原理研究

作者：张振东; 王一; 黄延彬; 李志宏; 杨晨; 罗子江; 郭祥; 丁召^*

来源：原子与分子物理学报, 2019, 36(06): 1057-1063.

• AlxIn1-xAs
• 晶体结构
• 电子结构
• 光学性质
• 第一性原理

基于密度泛函理论,对各组分AlxIn1-xAs(x为0～1)的晶体结构,电子结构和光学性质进行了第一性原理计算.结果显示,随Al组分x增加,AlxIn1-xAs晶体各键长将缩短,键角发生变化,晶胞体积也将减小,晶格常数的变化符合Vegard定律.另外,随着Al组分x的增加,AlxIn1-xAs的禁带宽度变宽,且能带有从直接带隙结构转变为间接带隙结构的趋势.具有较高In组分的AlxIn1-xAs晶体在可见光区域中的光吸收能力更强,光谱响应范围更大.

• 单位
  贵州大学; 贵州财经大学