本发明涉及一种基于热退火掺杂工艺的低阻态氮化镓基器件及其制作方法,包括依次设置的衬底层、成核层、缓冲层,还包括势垒层；所述势垒层上设有源电极、漏电极和栅电极,所述势垒层上还设置有半导体薄膜,所述低阻态氮化镓基器件为通过热退火掺杂工艺处理过的氮化镓基器件。本发明实施例,工艺实现容易,成本较低,易实现大规模的生产。
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