采用简单热氧化蒸发沉积法在ITO玻璃基片上制备了大面积MoO3微纳米片。制备出的微纳米片具有良好晶体结构,其长度、宽度和片层厚度分别可达100,15μm和约100nm;微纳米片沿[001]方向生长,这是因为晶体各方向键合能的不同而具有不同的生长速度,其形成过程遵循气-固生长机制。光致发光谱显示室温下MoO3微纳米片同时具有紫光发射峰、蓝光发射峰和绿光发光带,发射光强度随氧化沉积温度升高而增大,这是由于温度升高,微纳米片缺陷增加导致的。
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