基于In-Zn-Ti-O氧化物半导体材料的薄膜晶体管

作者：姚绮君; 李曙新; 张群

来源：液晶与显示, 2010, (04): 569-571.

• 薄膜晶体管
• 氧化锌
• 氧化铟
• 氧化钛 thin film transistor
• zinc oxide
• indium oxide
• titanium oxide

在室温下制备了基于In-Zn-Ti-O氧化物半导体的薄膜晶体管,氧化物沟道层中In、Zn、Ti的摩尔比为49∶49∶2。所制备的器件场致迁移率达到9.8cm2/V.s,开关比大于105,亚阈值摆幅0.61V/dec。和未掺Ti器件的比较表明,掺Ti能使器件阈值正向变化,对场致迁移率也有提高作用。

• 单位
  天马微电子股份有限公司; 复旦大学