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摘要
可控硅（Silicon Controller Rectifier, SCR）技术被广泛用于静电保护器件设计中，其优点是降低了箝位电压（Vclamp），但其特殊的I-V回扫特性容易触发闩锁。通过对闩锁效应原理进行研究，并结合实际的案例分析基于可控硅技术的静电保护器件I-V回扫特性与闩锁效应的关系，阐述静电保护器件发生闩锁效应的条件及如何避免发生闩锁效应的静电防护器件闩锁风险实测方法。
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可控硅（Silicon Controller Rectifier, SCR）技术被广泛用于静电保护器件设计中，其优点是降低了箝位电压（Vclamp），但其特殊的I-V回扫特性容易触发闩锁。通过对闩锁效应原理进行研究，并结合实际的案例分析基于可控硅技术的静电保护器件I-V回扫特性与闩锁效应的关系，阐述静电保护器件发生闩锁效应的条件及如何避免发生闩锁效应的静电防护器件闩锁风险实测方法。
