本发明公开了一种基于GaN基HEMT器件的Fin-HEMT器件及其制备方法,首先在GaN基异质结表面生长SiN层作为掩蔽层,然后光刻出Fin图形,并依次刻蚀SiN层和GaN基异质结层,形成Fin结构,最后再在Fin结构的栅位置光刻形成金属栅图形,刻蚀掉未被光刻胶掩蔽的SiN,然后在Fin结构侧壁形成介质层,最后在栅槽位置光刻栅图形,在整个结构表面进行金属蒸发,并剥离掉光刻胶,形成金属栅；其中,刻蚀SiN层和GaN基异质结分别在不同的刻蚀工艺气体下进行。
科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
