一种MOCVD设备生长均匀性工艺参数的优化方法

作者：王钢; 李健; 王杰; 陈梓敏; 范冰丰; 马学进

来源：2016-09-26, 中国, ZL201610850215.1.

本发明涉及一种MOCVD设备生长均匀性工艺参数的优化方法,将计算机和化学气相沉积过程的机理结合起来,利用神经网络模型和遗传算法进行工艺参数寻优,找出薄膜沉积率最均匀时的MO源流量,从而节省人力物力,同时节省时间成本。

• 单位
  佛山市中山大学研究院; 中山大学