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摘要
基于一种综合考虑有源区形状尺寸、重离子轰击位置、电路响应反馈、双极放大电荷收集等因素的电路级单粒子效应仿真方法，开展了180 nm工艺下不同驱动能力反相器的单粒子效应敏感性研究。研究结果表明：当驱动能力增至一定倍数，反相器的单粒子敏感截面与版图面积比及瞬态脉冲宽度会明显下降；含有多个子模块的反相器单元中，驱动能力高的子模块较驱动能力低的子模块具有更强的抗单粒子能力；在版图结构设计中共漏极连接方式有利于降低敏感区域面积，采用共漏极连接方式较共源极、独立源漏连接方式更利于降低电路对单粒子效应的敏感性。
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