0.825 THz砷化镓单片集成二次谐波混频器

作者：刘锶钰; 张德海; 孟进; 纪广玉; 朱皓天; 侯晓翔; 张青峰

来源：红外与毫米波学报, 2021, 40(6): 749-753.

DOI：10.11972/j.issn.1001-9014.2021.06.007

• 反向并联肖特基二极管
• 插入损耗
• 集成单片电路
• 太赫兹混频器

基于国内的GaAs单片集成电路产线,研制了一款中心频率在0.825 THz的二次谐波单片混频器.针对肖特基二极管在太赫兹频段的高频效应详细分析了反向并联肖特基二极管的寄生参数以完善单片电路的设计.单片电路集成度高和装配误差小的特性更适用于太赫兹频段器件的设计.梁氏引线形式电路设计既可以降低介质基板带来的损耗,减小安装的位置偏移.实测结果表明,0.825 THz单片混频器最佳单边带的插损值为28 dB,0.81到0.84 THz频率范围内插损小于33 dB.

• 单位
  中国科学院国家空间科学中心; 中国科学院大学; 南方科技大学