摘要
硅通孔(Through Si Vias,TSV)硅转接基板技术作为先进封装的一种工艺方式,是实现千级IO芯片高密度组装的有效途径,近年来在系统集成领域得到快速应用。TSV硅转接基板的细线条和与芯片相近的热导率可以解决陶瓷基板和芯片之间线宽和热导率不匹配的问题。随着硅基板技术的推广,其可靠性评价是应用前急需解决的问题。目前并没有关于TSV硅转接基板的可靠性评价要求的国内相关标准。从TSV硅转接基板的结构出发,借鉴国军标相关标准,形成了针对硅转接基板的可靠性评价方法,并进行了工程验证。验证结果表明通过有针对性的评价方法,可以反映出TSV硅转接基板的质量特性,实现可靠性评价。
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单位中国航天科技集团第九研究院第七七一研究所