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摘要
忆阻器由于其非易失性、低功耗、擦写速度快等优点,在存储器、逻辑器件和计算等领域具有广阔的应用前景。另一方面,二维材料由于二维层状的结构和优异的电学性能被广泛应用于忆阻器。其中,硒化镓是III-VI主族的层状半导体材料,具有高载流子迁移率、非线性光学特性和优异的光响应等特性,为研究新型电子器件提供了可能性。本文通过机械剥离法获得二维层状硒化镓纳米薄片,并以Cu作电极制备了具有平面结构基于二维硒化镓的两端阻变存储器件,实现了高达104的开关比。保留特性曲线表明器件可以在6600 s的时间范围内保持高的开关比。此外,随着测试时间的推移,器件的开关比有增大的趋势,显示了良好的稳定性。该研究为二维硒化镓在非易失性储存器件的进一步应用提供了前期基础。
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