4500 V沟槽栅IGBT芯片的设计与研制

作者：李立^*; 王耀华; 高明超; 刘江; 金锐

来源：中国电力, 2020, 53(12): 30-36.

• 沟槽栅
• IGBT
• 仿真
• 衬底
• 载流子存储层
• 假栅结构

为提升IGBT单芯片的电流密度,掌握高压沟槽栅IGBT技术,进行4 500 V沟槽栅IGBT芯片的研制。使用TCAD仿真软件,对4 500 V沟槽栅IGBT的衬底材料、载流子储存层设计、沟槽宽度、沟槽深度、假栅结构等方面进行研究和仿真分析,明确各方面设计与芯片性能的关系。根据总体设计目标,确定相应的芯片结构和工艺参数,并对4 500 V沟槽栅IGBT芯片进行流片验证。验证结果显示:4 500 V沟槽栅IGBT芯片的测试结果符合设计预期,芯片的额定电流、导通压降、开通损耗和关断损耗等关键参数相比平面栅IGBT芯片有明显优化。

• 单位
  全球能源互联网研究院