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摘要
从真空热浸和电流冲击两个方面对碲镉汞红外探测器进行了研究。真空热浸在星载红外探测器中是十分重要的一项试验,通过研究得到大面积甚长波探测器芯片的耐真空热浸温度为85℃、95℃下39 h的热浸会降低探测器的性能;在电流冲击的实验中,得出低温下探测器芯片耐冲击能力低于室温下的探测器芯片,低温下40mA的脉冲电流会降低其性能,而室温下相应的脉冲电流为70mA。粘接胶的热导率和厚度是影响耐冲击能力的主要因素。
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单位中国科学院上海技术物理研究所; 传感技术国家重点实验室
