氮掺杂碲化锗薄膜晶体结构及电子能带研究

作者：郭爽; 王运锋; 崔少博

来源：南阳理工学院学报, 2023, 15(04): 61-65.

DOI：10.16827/j.cnki.41-1404/z.2023.04.012

• 氮掺杂
• 相变
• 晶体结构
• 光学带宽

研究了氮掺杂对碲化锗(GeTe)薄膜晶体结构、光学带隙和带尾局域态的影响。氮掺杂提高了GeTe的结晶温度和薄膜电阻。随着氮掺杂浓度的增加，薄膜材料表面变得更加致密和光滑，从而具有更好的电学性能和更小的残余应力。拉曼散射光谱分析了氮掺杂GeTe材料的局域键结构。透射光谱反映了薄膜光学带隙和电子局域态密度的变化。氮掺杂后带隙的展宽对于降低相变存储器的阈值电流是至关重要的。随着氮掺杂浓度的提高，非晶态薄膜透射光谱B1/2和U的斜率值单调递减分别对应于原子构型随机性的增加和带尾局域态的增大。反之，晶态薄膜透射光谱B1/2和U斜率值增加分别对应于材料结构有序度的增加和带尾局域态的减小。

• 单位
  南阳理工学院