PbSe/MoSe2异质结光敏二极管研制

作者：范旭东; 代天军; 潘棋; 刘兴钊^*

来源：电子元件与材料, 2019, 38(06): 86-89.

DOI：10.14106/j.cnki.1001-2028.2019.06.014

• 硒化铅
• 硒化钼
• 异质结
• 光敏二极管
• 红外探测器

采用分子束外延制备了PbSe与MoSe2薄膜,使用Raman光谱和XRD衍射谱进行表征;并研制出PbSe/MoSe2异质结光敏二极管,研究了其光电响应特性。使用1300 nm红外光源照射,在零偏压和-5 V偏压加载下,所研制异质结光敏二极管的探测率分别为5×109 cm·Hz1/2·W-1和2.9×1011 cm·Hz1/2·W-1,显示出优异的光电响应特性。尤其在负偏压工作模式下,由于器件处于关断状态,具有更低的暗电流,因此,具有更高的光/暗电流比和更加优异的综合性能。

• 单位
  电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 电子科技大学