非晶氮氧化硅薄膜中新发光缺陷态的研究

作者：董恒平; 陈坤基; 李伟; 孙正凤; 黄敏; 段欢; 曹燕; 王友凤

来源：材料导报, 2015, 28(22): 24-27.

• 非晶氮氧化硅薄膜
• 可调光致发光
• 缺陷态

利用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法在室温下制备出非晶氮氧化硅(a-SiNxOy)薄膜。通过调节薄膜中的Si/N比例,可使其光致发光峰位在450~600nm的较宽波长范围内连续可调。对比a-SiNx薄膜和aSiNxOy薄膜的发光特性,发现此薄膜发光来源于由氧引入的新发光缺陷态。由光吸收谱的测量结果可以推断出此发光缺陷态在光吸收边之下约0.65eV处的禁带中。并且,通过傅里叶变换红外光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)测量,证实了这种新发光缺陷态与薄膜中存在的O-Si-N键合结构有关。

• 单位
  南京大学; 固体微结构物理国家重点实验室; 南京理工大学泰州科技学院