提高掺铒硅基纳米材料发光效率的探索

作者：彭英才; 傅广生; 王英龙; 尚勇

来源：人工晶体学报, 2005, (01): 183-189.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2005.01.039

• Si基纳米材料
• Er掺杂
• 能量转移
• 发光效率 Si-based nanomaterials
• doping Er ion
• energy transfer process
• luminescence efficiency

本文中, 我们以SiO2 介质镶嵌的纳米晶Si薄膜 (nc Si/SiO2 )作为基质, 将稀土离子Er掺入其中所形成的nc Si:Er3+ /SiO2 薄膜材料为主, 介绍了nc SiEr3+之间的能量转移过程, 探讨了实现各类掺Er的Si基纳米材料高效率发光的可能途径。这些方法主要包括: 增强nc SiEr3+的能转移效率,提高有效Er的掺杂浓度, 选择最佳的退火温度, 增加Er O发光复合体的浓度和制备新的Er掺杂Si基纳米结构等。这些方法对制备具有高发光效率的掺铒硅基纳米材料具有重要的实际意义。

• 单位
  电子信息工程学院; 华北电力大学（保定）; 半导体超晶格国家重点实验室; 河北大学; 中国科学院半导体研究所