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摘要
本实用新型属于太阳能电池器件领域,公开了一种远程外延结构及肖特基结太阳电池器件。所述远程外延结构包括依次层叠的GaAs衬底、单层石墨烯层和InAs量子点阵列层。所述肖特基结太阳电池器件包括由上至下依次设置的Ag顶电极、单层石墨烯层、InAs量子点阵列层、单层石墨烯层、GaAs衬底层和Au背电极。本实用新型通过在砷化镓衬底与砷化铟外延层之间引入单层石墨烯层,有效阻断了界面的铟原子与镓原子的互扩散,有效地抑制了量子点结构异化、失活的现象,有效的提升了由其制备的肖特基结太阳电池器件的性能。
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