一种组分可调控的层间距宽化的MoS-xSe-(2-x)纳米片及其应用

作者：许俊; 蒋俊保; 夏艳婷; 汤衡; 李苏皖

来源：2023-06-21, 中国, CN202310740362.3.

本发明提供了一种组分可调控的层间距宽化的MoS-xSe-(2-x)纳米片及其应用,是以碳基材料为载体,在相邻的两个MoS-xSe-(2-x)单层之间插入氮掺杂无定形碳(NAC)单层：它不仅可以增宽MoS-xSe-(2-x)的层间距,便于快速的钠离子插入/脱出；而且还可以改善MoS-xSe-(2-x)的表面和内部的电子传导性,以充分加速电子的传输；此外,通过提高MoS-xSe-(2-x)中的Se原子比例将增加电导率、扩大层间距、并富集阴离子缺陷位点,提高S原子比例将提高理论容量。本发明所得产物结构独特、形貌规则、成分均一、无杂质相,且电化学特性优异。

• 单位
  合肥工业大学