一种多晶硅掩膜层湿法去除的改进研究

作者：张正荣; 詹扬; 汪辉

来源：半导体技术, 2007, 32(12): 1045-1048.

DOI：10.3969/j.issn.1003-353X.2007.12.009

• 半导体制造
• 氮氧化硅
• 热磷酸
• 湿法刻蚀

在集成电路制造工艺中,附着在Si片表面的杂质颗粒一直是影响晶圆良率的重大因素,其中在栅极多晶硅刻蚀后的氮氧化硅(SiON)掩膜层湿法去除工艺中,所使用的热磷酸(H3PO4)湿法刻蚀尤其容易产生杂质颗粒.详细分析了热H3PO4湿法刻蚀中杂质颗粒的形成机理,并且提出三种不同的解决途径,然后通过具体实验数据比较得出解决热H3PO4湿法刻蚀后杂质颗粒问题的最佳方案,为集成电路制造企业提供了理论基础和实践

• 单位
  上海交通大学