结深对65nm体硅CMOS晶体管单粒子瞬态脉冲的影响

作者：刘蓉容; 池雅庆; 窦强

来源：计算机工程与科学, 2017, 39(12): 2176-2184.

• +-N结" name="keyword">N+-N结
• +-P结" name="keyword">P+-P结
• PN结
• 单粒子瞬态
• PMOS
• NMOS
• 脉冲宽度

使用TCAD模拟工具,分析了纳米工艺下N+-N结、P+-P结和PN结深度的变化对PMOS以及NMOS单粒子瞬态(SET)脉冲宽度的影响,并考虑了电压温度变化下结深对晶体管单粒子瞬态的影响程度。结果表明,N+-N结的变化对PMOS晶体管单粒子瞬态脉冲宽度的影响最为显著。同时,还分析出N+-N、P+-P结在不同电压下的差异性较为明显,PN结在不同温度下的差异性较为显著。

• 单位
  国防科技大学