氨基乙酸-H_2O_2体系抛光液中铜的化学机械抛光研究

作者：张伟; 路新春; 刘宇宏; 潘国顺; 雒建斌

来源：摩擦学学报, 2008, (04): 366-371.

DOI：10.16078/j.tribology.2008.04.017

• 化学机械抛光
• 动电位极化扫描
• 氨基乙酸
• 腐蚀坑 chemical mechanical polishing
• polarization
• glycine
• pits

在CP-4型CMP试验机上采用5μm厚的铜镀层片研究了氨基乙酸-H2O2体系抛光液中铜的化学机械抛光行为,分别采用Sartorius 1712MP8型电子天平和WYKO MHT-Ⅲ型光干涉表面形貌仪检测抛光去除率和抛光后表面粗糙度,用CHI660A型电化学工作站的动电位极化扫描技术和PHI-5300ESCA型X射线光电子能谱仪分析抛光液中氧化剂和络合剂等化学组分对铜的作用机制.结果表明,由于氧化剂H2O2对铜的氧化作用使得氨基乙酸对铜的络合速率从1.4 nm/min提高到47 nm/min,进而提高了铜的化学机械抛光去除率.当抛光压力≤10.35 kPa时,抛光后铜表面出现腐蚀坑,腐蚀坑面积比...

• 单位
  摩擦学国家重点实验室