基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺设计了一款输出频率在E波段的有源六倍频器微波单片集成电路（MMIC）。片上集成六倍频器及输出驱动放大器，采用PHEMT管进行倍频，具有较高输出功率及较小的芯片尺寸。在片探针测试结果显示该倍频器芯片在输入功率5dBm时，输出66～88GHz频率范围内，输出功率大于13dBm，谐波抑制20dBc，功耗600 mW，芯片尺寸为3.0 mm×1.4 mm×0.07 mm。
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