GOCuO纳米复合结构的制备及场发射特性

作者：王成伟; 苏小峰; 陈建彪; 和茹梅; 李燕

来源：西北师范大学学报(自然科学版), 2017, 53(02): 30-35.

DOI：10.16783/j.cnki.nwnuz.2017.02.006

• CuO纳米片
• 氧化石墨烯
• 纳米复合结构
• 场致电子发射

采用简便的溶剂热法制备垂直取向的氧化铜(CuO)纳米片阵列膜,然后将氧化石墨烯(GO)溶胶旋涂于CuO薄膜表面,形成由CuO纳米片顶端支撑的GO/CuO纳米复合结构.场发射实验结果显示,与纯的CuO纳米片相比,GO/CuO纳米复合结构的开启电场从2.4V·μm-1降至1.7V·μm-1,电流密度增大,发射稳定性也明显提高.实验结果表明,样品场发射性能的显著增强应源于CuO纳米片的垂直取向、超薄的刃状边缘以及GO的褶皱和凸起协同形成更多有效的场发射位点.该纳米复合结构制备方法简便,高效经济,在场发射高亮电子源以及其它真空纳米电子器件中具有潜在的应用价值.

• 单位
  西北师范大学; 电子工程学院