大晶畴石墨烯透明导电薄膜的制备及其光电性能研究

作者：王珩鉴; 史永贵^*; 付影; 桑昭君

来源：化工新型材料, 2022, 50(10): 86-101.

DOI：10.19817/j.cnki.issn1006-3536.2022.10.017

• 石墨烯
• 透明导电电极
• 光电性能
• 透光率
• 方阻

以氧化铜箔为衬底，并在氮气条件下加热退火来钝化铜箔表面的有利形核位，利用低压化学气相沉积法制备大晶畴、高质量的石墨烯薄膜，随后采用转移/叠加技术制备出了不同层数的石墨烯透明导电薄膜，研究层数对其光电学性能的影响。结果表明，石墨烯晶畴的尺寸达到了650μm,平均生长速率高达43.3μm/min;在550nm处，单层石墨烯透明导电薄膜的透光率为94.3%,方阻为678Ω/;随着层数的增加，石墨烯透明导电薄膜的透光率和方阻均线性递减，当层数增大到5时，其透光率降低至80.1%,方阻则降至约287Ω/;这种变化规律与石墨烯特殊的价键结构有关。

• 单位
  西安理工大学