一种应用于SoC的高稳定性无片外电容LDO稳压器

作者：曾范洋; 蒋品群^*; 宋树祥; 蔡超波; 刘振宇

来源：电子元件与材料, 2022, 41(03): 278-283.

DOI：10.14106/j.cnki.1001-2028.2022.1437

• 低压差线性稳压器
• 无片外电容
• 高稳定性
• 频率补偿
• 摆率增强

为了减少负载电流瞬态变化对低压差线性稳压器(LDO)输出电压稳定性的不利影响，设计了一种应用于片上系统(SoC)的高稳定性无片外电容LDO稳压器。该电路采用密勒电容倍增补偿和零点-极点跟踪补偿技术，使LDO在不同负载条件下仍具有良好的环路稳定性。同时，通过摆率增强电路来动态调节功率晶体管的栅极电压，改善了LDO的瞬态响应特性。电路采用0.11μm标准CMOS工艺设计。后端仿真结果表明，当电源电压为1.3～3.3 V,最大输出负载电流为50 mA时，LDO输出电压的稳定值为1.21 V,静态电流为35μA,最小相位裕度为64.43°。当负载电流以1μs的时间在1～50 mA之间跃变时，与未加入摆率增强电路的LDO相比，输出电压的下冲幅度减少了126 mV,下降了42.5%;过冲幅度减少了44 mV,下降了20.6%。

• 单位
  广西师范大学; 电子工程学院