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摘要
本发明属于薄膜晶体管技术领域,涉及一种基于等离子体增强原子层沉积栅极绝缘层的氧化锡基薄膜晶体管,包括依次设置的：衬底、栅极、栅极绝缘层、有源层和源漏电极,其中：栅极绝缘层是由等离子体增强原子层沉积制备的氧化铝薄膜,有源层是通过磁控溅射沉积制备的硅掺杂氧化锡薄膜。本发明的氧化锡基薄膜晶体管采用等离子体增强原子层沉积法制备高介电常数的氧化铝作为栅极绝缘层,并且使用非晶硅掺杂氧化锡半导体材料作为有源层材料,降低了有源层/栅极绝缘层界面缺陷态和器件的开启电压,显著地提高了器件迁移率和稳定性。本发明还提供一种基于等离子体增强原子层沉积栅极绝缘层的氧化锡基薄膜晶体管制备方法。
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