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摘要
采用磁控溅射法制备出以ITO为基底的纯Cu薄膜，考察溅射时间和基底温度等工艺条件对生长Cu薄膜的影响。用电子扫描显微镜（SEM）、X射线衍射仪（XRD）对薄膜的形貌、厚度和结构进行表征。实验结果表明：在一定范围内调控衬底温度和溅射时间，可获得不同形貌、尺寸和厚度的Cu薄膜，所得薄膜的晶体结构为面心立方结构，均沿（111）方向择优生长。时间是控制晶粒尺寸的重要因素，溅射时间为40 min，所得薄膜粒子较小，结晶度好，且薄膜致密均匀，随着镀膜时间的增加，膜厚与之成线性关系增加，沉积速率为0.242μm/min；温度对薄膜形貌影响显著，100℃时可获得由小粒子堆积成的类柱状结构组成的薄膜，200℃时可获得由小粒子堆积成的球形团簇组成的薄膜，随着镀膜温度的增加，膜厚与之不呈线性关系，沉积速率随温度的增加而增大；该方法所制备铜薄膜在催化、传感器等领域有潜在的应用价值。
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单位电子工程学院; 牡丹江师范学院
