原位反应合成B_4C@TiB_2粉体及其介电吸波性能

作者：邹鑫; 陈平安; 朱颖丽; 李享成

来源：功能材料, 2023, 54(07): 7200-7206.

DOI：10.3969/j.issn.1001-9731.2023.07.027

• B_4C@TiB_2
• 原位反应
• 晶格畸变
• 电磁波吸收

以钛酸四正丁酯和B4C粉体为原料，采用化学包覆结合热处理在B4C表面原位生成TiB2,制备了具有核壳结构的B4C@TiB2复合粉体。结果表明，利用原位反应构建了B4C-TiB2核壳界面，使碳化硼由计量比B4C转变为富硼相B13C2,使碳化硼产生晶格畸变。因此，当TiB2含量由0%（质量分数）增加至20%（质量分数）时，复合粉体的最低反射损耗值(RLmin)由-9.76 dB增至-19.94 dB。这是由于原位生成的TiB2改善了B4C粉体的阻抗匹配性；B4C的晶格畸变增强了偶极子极化，核壳结构增强了界面极化，二者协同作用提高了复合粉体的介电损耗能力，使B4C粉体的电磁波吸收性能得到明显提高。