采用低温PL谱研究探测器级CdZnTe晶体

作者：李阳; 介万奇; 王涛; 杨帆; 殷子昂; 陈曦

来源：人工晶体学报, 2014, 43(02): 321-332.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2014.02.045

• CdZnTe
• 晶体质量
• 光致发光谱
• 双晶X射线摇摆曲线
• 位错腐蚀坑密度

采用低温光致发光谱技术研究了核辐射探测器用高阻CdZnTe晶体。发现PL谱中的三个特征峰均与晶体质量有关,其中(D0,X)峰FWHM值和I DAP/I(D0,X)与晶格完整性和浅能级缺陷密度有关联,D2峰则与位错密度密切相关。采用双晶X射线摇摆曲线和位错腐蚀坑密度对此表征进行了验证。低温PL谱测试结果显示晶体质量较高的CdZnTe晶片,其探测器的能谱分辨率也相对较高。

• 单位
  凝固技术国家重点实验室; 西北工业大学