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摘要
垂直沟道双扩散金属-氧化层-半导体场效应晶体管(VDMOS)是一类继MOSFET之后发展起来的高效功率开关器件，其沟道长度由外延层的厚度来控制，适合于MOS器件向短沟道尺寸发展，可提高器件的高频性能及工作效率。功率VDMOS晶体管是一类适用于开关应用和线性应用的功率器件，在空间卫星电子系统中具有广阔的应用空间。从功率VDMOS器件结构及基本工作机制入手，梳理了其工作原理，总结了总剂量效应、单粒子效应、位移效应及剂量率效应对VDMOS器件性能的影响，从微观进行机制分析，对抗辐射加固方法进行总结，以提高VDMOS器件的可靠性，为改进抗辐射器件制造工艺及结构设计奠定基础。
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