纳米二氧化硅对体外培养HaCaT细胞凋亡的影响

作者：龚春梅; 杨淋清; 陶功华; 何浩伟; 刘庆成; **生; 刘建军; 庄志雄

来源：安徽农业科学, 2013, 41(11): 4842-4845,4876.

DOI：10.3969/j.issn.0517-6611.2013.11.053

• 纳米二氧化硅
• 细胞增殖
• 细胞凋亡
• 活性氧

[目的]比较不同粒径(15、30、100 nm)纳米二氧化硅(nano-SiO2)和常规二氧化硅(Micro-SiO2)对人皮肤表皮细胞(HaCaT)生长的抑制作用及凋亡的影响.[方法]采用不同浓度(2.5、5、10 μg/ml)不同粒径(15、30、100 nm)的nano-SiO2和10 μg/ml的Micro-SiO2(1～5μm)染毒体外培养的HaCaT细胞24h,同时设溶剂对照组(nano-SiO2和Micro-SiO2的分散液染毒组).采用细胞计数试剂盒(CCK-8)法检测HaCaT细胞暴露于不同浓度、不同粒径的nano-SiO2后的细胞活力,用Annexinv-PI双染法和Hoechest33342染色法测定细胞凋亡情况；使用2’,7’-二乙酰二氯荧光素荧光探针检测细胞内活性活性氧(ROS)水平.[结果]不同粒径的nano-SiO2纳米对HaCaT细胞的半数抑制浓度分别为(19.4±1.3)、(27.7±1.5)、(35.9±1.6) μg/ml.当染毒浓度固定时,随着nano-SiO2粒径的减小,凋亡率逐渐增加.当粒径固定时,胞内ROS的水平也随着nano-SiO2浓度的增大而增高.相关分析表明,细胞存活率和凋亡率与胞内活性氧的水平的相关性分别为-0.952和0.898(P ＜0.01).[结论]nano-SiO2能抑制HaCaT细胞生长并可诱导其凋亡,这种现象的发生可能与胞内产生的活性氧水平有关.

• 单位
  深圳市疾病预防控制中心; 深圳市慢性病防治中心