氧化铪薄膜具有高介电常数、大击穿场强、高热稳定性、高力学强度等优势,是新一代高集成芯片中的理想介质材料。本文总结了氧化铪薄膜的主要特性、制备技术及在芯片介质层中的应用。针对芯片介质层的电、热、力学性能与生产要求,以氧化铪薄膜制备技术的发展历程为主线,重点介绍各类化学气相沉积方法的特点与典型研究成果,讨论了氧化铪薄膜制备技术存在的问题,并对该领域未来的发展趋势进行了展望。
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