反应离子刻蚀剥层的微分霍耳法表征超浅pn结

作者：武慧珍; 茹国平; 黄魏; 蒋玉龙; 屈新萍; 李炳宗

来源：复旦学报(自然科学版), 2007, (01): 81-84.

DOI：10.15943/j.cnki.fdxb-jns.2007.01.014

• 半导体电学表征
• 微分霍耳
• 超浅结
• 载流子浓度
• 载流子迁移率

用反应离子刻蚀(RIE)剥层的微分霍耳法(DHE)对等离子体掺杂、离子注入制备的Si超浅p+n结进行了电学表征.通过对超浅p+n结样品RIE剥层的DHE测试和二次离子质谱(SIMS)测试及比较,发现用反应离子刻蚀(RIE)剥层的DHE测试获得的杂质浓度分布及结深与SIMS测试结果具有良好的一致性,DHE具有良好的可控性与重复性.测试杂质浓度达1021cm-3量级的Si超浅结样品,其深度分辨率可达nm量级.

• 单位
  复旦大学