随着半导体工艺和技术的发展，透明氧化物半导体（TOS）器件受到较多关注，其中以非晶铟镓锌氧化物（a-InGaZnO）薄膜晶体管（TFT）为代表的n型TOS TFTs有着迁移率高、电阻率低和透过率高等优点，被广泛应用于低辐射窗、传感器等。本文利用a-InGaZnO TFT电容电压特性曲线和栅源/漏之间寄生电阻的关系，提取了态密度g(E)，验证结果表明该方法能够较准确地提取出a-InGaZnO TFT中陷阱态。
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