MgO缓冲层对PZT/AlGaN/GaN异质结构电学性能的影响

作者：张菲; 朱俊; 罗文博; 郝兰众; 李言荣

来源：功能材料, 2011, (06): 992-995.

• 脉冲激光沉积
• PZT
• MgO
• C-V
• I-V pulse laser deposition(PLD)
• I-V

采用脉冲激光沉积(PLD)技术,以MgO作为缓冲层,在AlGaN/GaN半导体异质结构上沉积了Pb(Zr0.52T0.48)O3(PZT)铁电薄膜,从而形成金属-铁电-介质-半导体结构(MFIS)。XRD扫描结果表明,通过MgO缓冲层对界面结构的优化,实现了PZT薄膜沿(111)面择优取向生长。电流-电压(I-V)测试结果显示,MgO缓冲层的引入大大改善了集成体系的电学性能。在外加电压为-8V时,与无MgO缓冲层的MFS异质体系相比较,该MFIS结构的漏电流密度降低了5个数量级。集成体系的电容-电压(C-V)表现出逆时针窗口特征,反映了铁电极化对二维电子气(2DEG)的调制作用。随着缓冲层厚度...

• 单位
  电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室