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摘要
In2O3纳米线由于其独特性质而成为紫外光电探测器的潜力候选者,目前,In2O3纳米线基紫外光电探测器已被广泛研究,但较大的暗电流限制了其进一步应用。本文制备了In2O3纳米线紫外光电晶体管,通过背栅电压的调制作用,器件中的暗电流几乎被全部耗尽,同时,由于光照下的阈值偏移,栅压对光电流的影响较小。最终得到具有高光开关比（1.07×108）和高响应度（5.58×107 A/W）的单根In2O3纳米线紫外光电晶体管,性能明显优于之前报道的In2O3纳米结构光电探测器。本工作促进了In2O3纳米线在下一代纳米光电子器件和集成电路中的应用。
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单位高功率半导体激光国家重点实验室; 长春理工大学
