一种具有锁定检测结构的新型抗SET效应DLL设计技术

作者:曹天骄; 吴龙胜; 李海松; 韩本光
来源:微电子学与计算机, 2017, 34(09): 77-81.
DOI:10.19304/j.cnki.issn1000-7180.2017.09.016

摘要

针对延迟锁相环的结构和对单粒子效应敏感性的分析,提出了一种具有锁定检测结构的新型抗SET加固DLL结构,该结构能在满足原有DLL性能指标的前提下实现对SET效应的加固,保证DLL正交四相时钟的正确输出.基于65nm CMOS工艺进行电路设计仿真,结果显示在500 MHz工作频率下,此DLL功能正确,抗SET性能良好,SET阈值达到100 MeV·cm2/mg,在空间辐射环境中具有很好的稳定性.

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