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摘要
本发明公开了一种大面积图形自对准的异质集成方法,主要解决现有基于转印技术的异质集成工艺会使被转印物之间的位置产生偏差的问题。其实现方案是：在SOI基片上形成微结构硅阵列；刻蚀掉微结构硅阵列以外暴露的埋氧化层；在微结构硅图形边缘制作光刻胶定位锚；完全刻蚀掉SOI基片的埋氧化层；将转印媒介与SOI基片先耦合再进行剥离,以在转印媒介上获取SOI基片上的微结构硅阵列；转印媒介将微结构硅阵列释放至接收基片上；在获取微结构硅的接收基片上刻蚀出自对准的微结构硅图形,完成无偏差的自对准异质集成。本发明优化了转印异质集成的工艺,增强了转印技术的可靠性,从而提高器件的良率与性能,可用于异质集成芯片的制作。
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