高响应度β-Ga-2O-3基异质结自供能紫外探测器及其制备方法和应用

作者：王相虎; 施华

来源：2022-08-19, 中国, ZL202210996460.9.

本发明公开了高响应度β-Ga-2O-3基异质结自供能紫外探测器及其制备方法和应用,属于半导体光电器件领域。该紫外探测器由下至上包括依次层叠设置的衬底、第一电极、p型宽禁带导电薄膜、本征β-Ga-2O-3薄膜耗尽层、n-β-Ga-2O-3:Sn导电薄膜、n～+-β-Ga-2O-3:Sn电子收集层、MgO:Na或MgO:K薄膜钝化层和第二电极,p禁带导电薄膜的禁带宽度大于3.0eV。本发明利用化学气相沉积、金属有机物气相外延、脉冲激光沉积等真空制膜方法得到高响应度β-Ga-2O-3基异质结自供能紫外探测器,有效提高了β-Ga-2O-3基异质结薄膜紫外探测器的响应度,应用在日盲波段探测方面前景广阔。

• 单位
  上海电机学院